Publication

Asymmetrically strained all-silicon multi-gate n-Tunnel FETs

Mihai Adrian Ionescu, Mohammad Najmzadeh, Katherine Boucart
2010
Journal Articles

Résumé

This paper reports all-silicon asymmetrically strained Tunnel FET architectures that feature improved subthreshold swing and Ion/Ioff characteristics. We demonstrate that a lateral strain profile corresponding to at least 0.2 eV band-gap shrinkage at the BTB source junction could act as an optimized performance Tunnel FET enabling the cancellation of the drain threshold voltage. To implement a real device, we demonstrate using GAA Si NW with asymmetric strain profile using two local stressor technologies to have >4–5 GPa peak of lateral uniaxial tensile stress in the Si NW.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/474be22f-c40d-47c6-be7d-ec9aa24ac63e

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