Publication

Electronic and structural evidences for charge transfer and localization in iodine-doped pentacene

Robin Humphry-Baker, Frank Nüesch, Libero Zuppiroli, Philippe Bugnon, Michel Schär
2004
Journal Articles

Résumé

We have investigated the doping mechanism of pentacene with iodine and its impact on the structure and on the electronic properties of single crystals, powders, and thin films in a large range of iodine concentration up to six iodine per pentacene (PEN) molecule (I/PEN = 6). Three regimes of doping have been identified. In the low doping regime I/PEN < 0.05, the pristine pentacene structure of single crystals is maintained. Electron spin resonance (ESR) evidences a Pauli susceptibility, that is, the characteristic fingerprint of delocalized holes in the valence band of pentacene. In the intermediate doping regime (0.1 < I/PEN

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/4532f565-668b-4c3c-8d7e-53e9452def1e

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Robin Humphry-Baker, Frank Nüesch, Libero Zuppiroli, Philippe Bugnon, Michel Schär
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Trouble de la personnalité

250px|vignette|droite|Le DSM-5, version originale anglaise, avec son prédécesseur, le DSM-IV-TR, version française Un trouble de la personnalité désigne, en psychiatrie et dans l'approche suivant les préceptes du Manuel diagnostique et statistique des troubles mentaux (DSM-5), une catégorie de traits de la personnalité mal adaptés impliquant fonctions cognitives et comportementales. Les définitions peuvent varier selon d'autres sources.

Electron mobility

In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. When an electric field E is applied across a piece of material, the electrons respond by moving with an average velocity called the drift velocity, .

Dopage (semi-conducteur)

Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous.

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Impact of static disorder on quasiparticle spectra: Debye-Waller, mean free path, and potential fluctuation effects

Doping-Modulated Semiconductor-to-Metal Transformation in a Low-Band-Gap Two-Dimensional Material

Nanopatterning optimization of zinc phosphide: hole mobility up to 560 cm2/V s with selective area epitaxy