Mediaspace scheduled maintenance: Aug 25, 2026 07:00 - 12:00 AM. During this time, videos will be temporarily unavailable. Check status updates.

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Michel Schär

Cette personne a quitté l’EPFL

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Graph Chatbot

Publications associées (7)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Afficher plus

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (7)

Afficher plus

From oxide surface to organic transistor properties: the nature and the role of oxide gate surface defects

Libero Zuppiroli, Stéphane Suarez, Michel Schär, Franziska Dora Fleischli

By applying various surface treatments to the oxide gate of pentacene transistors, both in vacuum (H2, O2 and Ar plasma treatments) and in aqueous solution, we were able to vary the balance between oxygen-free radicals (Si•), oxygen-centered radicals (Si−O ...

American Chemical Society2010

Ultrathin organic transistors on oxide surfaces

Frank Nüesch, Libero Zuppiroli, Marie-Noëlle Bussac, Michel Schär, Adrian von Mühlenen

We have built a model organic field-effect transistor that is basically composed of a single layer of pentacene crystal in interaction with an oxide surface. Drain and source contacts are ohmic so that the pentacene layer can carry a current density as hig ...

Deutsche Physikalische Gesellschaft & IOP Publishing Ltd2005

Thermopower measurements on pentacene transistors

Libero Zuppiroli, Marie-Noëlle Bussac, Michel Schär, Adrian von Mühlenen

We present the first thermoelectric measurements on pentacene field effect transistors. We report high values of the Seebeck coefficient at room temperature between 240 and 500 micro V/K depending on the dielectric surface treatment. These values are indep ...

2007