Publication

Determination of the Lateral Distribution of Electron-Hole Pairs Generated by an Electron-Beam in Al0.4Ga0.6As by Cathodoluminescence

Jean-Daniel Ganière, François Morier-Genoud
1994
Journal Articles

Résumé

The cathodoluminescence mode of the scanning electron microscope is used for the first time to investigate the lateral dependence of the electron-hole pair generation by the electron beam of the scanning electron microscope m semiconducting material. A multiple-quantum-well structure acts as a detector to measure the relative number of generated carriers by their radiative recombination. The method, which avoids the effect of carrier diffusion, enhances the resolution of the measurement to 50 nm and should prove a help for the quantitative interpretation of cathodoluminescence evaluations.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/3f0387a7-4c63-4e91-86dd-141d13c8eb92

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Carrier generation and recombination

In the solid-state physics of semiconductors, carrier generation and carrier recombination are processes by which mobile charge carriers (electrons and electron holes) are created and eliminated. Carrier generation and recombination processes are fundamental to the operation of many optoelectronic semiconductor devices, such as photodiodes, light-emitting diodes and laser diodes. They are also critical to a full analysis of p-n junction devices such as bipolar junction transistors and p-n junction diodes.

Microscope électronique

thumb|Microscope électronique construit par Ernst Ruska en 1933.thumb|Collection de microscopes électroniques anciens (National Museum of Health & Medicine). Un microscope électronique (ME) est un type de microscope qui utilise un faisceau d'électrons pour illuminer un échantillon et en créer une très agrandie. Il est inventé en 1931 par des ingénieurs allemands. Les microscopes électroniques ont un pouvoir de résolution supérieur aux microscopes optiques qui utilisent des rayonnements électromagnétiques visibles.

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