Publication

Kinetic Processes in Metal Epitaxy Studied with Variable-Temperature Stm - Ag/Pt(111)

Klaus Kern, Harald Brune
1995
Journal Articles

Résumé

Variable-temperature scanning tunneling microscopy has been applied to study kinetic processes involved in epitaxial growth. This paper concentrates on nucleation and aggregation of submonolayer Ag films on a Pt(lll) surface. From island density versus temperature data, the activation barrier for Ag adatom diffusion as well as the stability of adsorbed Ag dimers are determined. From the adsorbed aggregate shapes conclusions on Ag perimeter diffusion can be drawn. An anisotropy in edge diffusion leads to dendritic aggregates with the trigonal substrate symmetry. A crossover to randomly ramified fractals is observed upon lowering of the deposition flux.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/3ef44cda-eae5-487d-9f5a-e2fcc9eb9024

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Klaus Kern, Harald Brune
1995
Journal Articles

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/3ef44cda-eae5-487d-9f5a-e2fcc9eb9024

À propos de ce résultat

Concepts associés (20)

Épitaxie

L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».

Théorie cinétique des gaz

La théorie cinétique des gaz a pour objet d'expliquer le comportement macroscopique d'un gaz à partir des caractéristiques des mouvements des particules qui le composent. Elle permet notamment de donner une interprétation microscopique aux notions de : température : c'est une mesure de l'agitation des particules, plus précisément de leur énergie cinétique ; pression : la pression exercée par un gaz sur une paroi résulte des chocs des particules sur cette dernière. Elle est liée à leur quantité de mouvement.

Sputter deposition

Sputter deposition is a physical vapor deposition (PVD) method of thin film deposition by the phenomenon of sputtering. This involves ejecting material from a "target" that is a source onto a "substrate" such as a silicon wafer. Resputtering is re-emission of the deposited material during the deposition process by ion or atom bombardment. Sputtered atoms ejected from the target have a wide energy distribution, typically up to tens of eV (100,000 K).

Afficher plus