Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.
AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.
The authors report the realization of InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs) with an electrical injection design suitable for vertical cavity surface emitting lasers. Controlled oxidation of an AlInN interlayer lattice matched to GaN allows confining the injected current in a 3 mu m diameter aperture. Submicron-scale characterization of the current flow and optical properties is achieved by means of microelectroluminescence measurements. LEDs can be safely driven, in continuous mode operation, up to current densities higher than 20 kA/cm(2). (c) 2007 American Institute of Physics.
Tobias Kippenberg, Nikolai Kuznetsov, Alisa Davydova, Andrey Gelash
Emad Oveisi, Aurélien Bornet, Pascal Alexander Schouwink, Sascha Feldmann, Tejas Deshpande, Zachary Andrew Vanorman