Publication

Towards Structured ASICs Using Polarity-Tunable SiNW Transistors, invited

Giovanni De Micheli, Yusuf Leblebici, Davide Sacchetto, Michele De Marchi
2013
Conference Papers

Résumé

In addition to scaling semiconductor devices down to their physical limit, novel devices show enhanced functionality compared to conventional CMOS. At advanced technology nodes, many devices exhibit ambipolar behavior, i.e., they show n- and p-type characteristics simultaneously. This phenomenon can be tamed using double-gate structures. In this paper, we present a complete framework relying on Double-Gate-all-around Vertically stacked NanoWire FETs (DG-NWFETs). Such device enables a compact realization of arithmetic logic functions and presents unprecedented interest for structured ASIC applications.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/3610984b-7277-4403-aafd-8cb0f4bd61c3

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