Publication

Low-temperature growth of n(++)-GaN by metalorganic chemical vapor deposition to achieve low-resistivity tunnel junctions on blue light emitting diodes

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Pirouz Sohi
2019
Journal Articles

Résumé

We report on low-resistivity GaN tunnel junctions (TJ) on blue light-emitting diodes (LEDs). Si-doped n(++)-GaN layers are grown by metalorganic chemical vapor deposition directly on LED epiwafers. Low growth temperature (

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/32b5961c-bc12-4d30-bbba-2d07af397c19

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Low-temperature growth of n(++)-GaN by metalorganic chemical vapor deposition to achieve low-resistivity tunnel junctions on blue light emitting diodes

Chattez avec Graph Search

Ionic Iridium-Catalyzed Hydrogenation of Pyridines

Study of growth-induced point defects and their impact on InGaN-based optoelectronic devices

III-N blue-emitting epi-structures with high densities of dislocations: Fundamental mechanisms for efficiency improvement and applications