Publication

Suppression of three dimensional twinning for a 100% yield of vertical GaAs nanowires on silicon

Anna Fontcuberta i Morral, Martin Heiss, Emanuele Uccelli
2012
Journal Articles

Résumé

Multiple seed formation by three-dimensional twinning at the initial stages of growth explains the manifold of orientations found when self-catalyzed GaAs nanowires grow on silicon. This mechanism can be tuned as a function of the growth conditions by changing the relative size between the GaAs seed and the Ga droplet. We demonstrate how growing under high V/III ratio results in a 100% yield of vertical nanowires on silicon(111). These results open up the avenue towards the efficient integration of III-V nanowire arrays on the silicon platform.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/2fce596d-58e9-481c-b94b-cc382abc7b4a

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