Three-dimensional integrated circuitA three-dimensional integrated circuit (3D IC) is a MOS (metal-oxide semiconductor) integrated circuit (IC) manufactured by stacking as many as 16 or more ICs and interconnecting them vertically using, for instance, through-silicon vias (TSVs) or Cu-Cu connections, so that they behave as a single device to achieve performance improvements at reduced power and smaller footprint than conventional two dimensional processes. The 3D IC is one of several 3D integration schemes that exploit the z-direction to achieve electrical performance benefits in microelectronics and nanoelectronics.
Fabrication des dispositifs à semi-conducteursthumb|upright=1.5|Évolution de la finesse de gravure des processeurs entre 1970 et 2017 La fabrication des dispositifs à semi-conducteur englobe les différentes opérations permettant l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs. Entrent dans cette catégorie de composants à semi-conducteur, les composants discrets qui n'ont qu'une seule fonction comme les diodes et les transistors, et les circuits intégrés plus complexes, intégrant plusieurs composants, jusqu'à des milliards, dans le même boîtier.
Package on a packagePackage on a package (PoP) is an integrated circuit packaging method to vertically combine discrete logic and memory ball grid array (BGA) packages. Two or more packages are installed atop each other, i.e. stacked, with a standard interface to route signals between them. This allows higher component density in devices, such as mobile phones, personal digital assistants (PDA), and digital cameras, at the cost of slightly higher height requirements. Stacks with more than 2 packages are uncommon, due to heat dissipation considerations.
System in packagethumb|Un SiP avec un processeur, mémoire et mémoire flash, combiné sur un seul substrat. Un SiP, acronyme de « System in Package » (système dans un boîtier, en français), aussi connu sous le nom de System-in-a-Package ou de Multi-Chip Module (MCM), désigne un système de circuits intégrés confinés dans un seul boîtier ou module. Le SiP permet de réaliser la totalité (ou presque) des fonctions habituelles d'un système électronique, tels que ceux présents à l'intérieur d'un téléphone mobile, d'un PC, d'un baladeur numérique, etc.
Adresse IPUne adresse IP (Internet Protocol) est un numéro d'identification unique attribué de façon permanente ou provisoire à chaque périphérique faisant partie d'un même réseau informatique utilisant l'Internet Protocol. L'adresse IP est à l'origine du système d'acheminement (le routage) des paquets de données sur Internet. Il existe deux grandes versions d'adresses IP : la version 4 (IPv4) codée sur , et la version 6 (IPv6) codée sur .
Via traversantDans le domaine de l'industrie des semi-conducteurs, un via traversant (en anglais through-silicon via) est un contact électrique réalisé dans la verticalité du substrat, permettant d'établir une connexion entre les deux faces. Ainsi les contacts peuvent être repris sur la face du substrat opposée à la face active où se trouvent les dispositifs microélectroniques ou électromécaniques. Le principal intérêt de l'utilisation de via traversants est de pouvoir interconnecter une puce sur une autre, ou sur un substrat (circuit imprimé), par rapport de puce, sans avoir recours à un câblage par fil.
Link-local addressIn computer networking, a link-local address is a unicast network address that is valid only for communications within the subnetwork that the host is connected to. Link-local addresses are most often assigned automatically with a process known as stateless address autoconfiguration or link-local address autoconfiguration, also known as automatic private IP addressing (APIPA) or auto-IP. Link-local addresses are not guaranteed to be unique beyond their network segment.
WaferEn électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique. En français, les termes de « tranche », « plaque » (voire, « plaquette ») ou « galette » sont également utilisés. Cependant, l'usage de l'anglais est très répandu dans les unités de fabrication de semi-conducteurs et dans le langage des ingénieurs.
Adresse MACUne adresse MAC (de l'anglais Media Access Control), parfois nommée adresse physique, est un identifiant physique stocké dans une carte réseau ou une interface réseau similaire. Elle est unique au monde. Toutes les cartes réseau ont une adresse MAC, même celles contenues dans les PC et autres appareils connectés (tablette tactile, smartphone, consoles de jeux, réfrigérateurs, montres). MAC constitue la partie inférieure de la couche de liaison (couche 2 du modèle OSI). Elle insère et traite ces adresses au sein des trames transmises.
Crystalline siliconCrystalline silicon or (c-Si) Is the crystalline forms of silicon, either polycrystalline silicon (poly-Si, consisting of small crystals), or monocrystalline silicon (mono-Si, a continuous crystal). Crystalline silicon is the dominant semiconducting material used in photovoltaic technology for the production of solar cells. These cells are assembled into solar panels as part of a photovoltaic system to generate solar power from sunlight. In electronics, crystalline silicon is typically the monocrystalline form of silicon, and is used for producing microchips.
Épuisement des adresses IPv4thumb|Épuisement des adresses IPv4 depuis 1995. La courbe RIR indique les blocs assignés par les registres Internet régionaux aux registres locaux. La différence entre les deux courbes représente la quantité d'adresses libres dont les RIR disposent. thumb|Taux d'assignation des adresses IP par registre Internet régional en moyenne par trimestre. La croissance du nombre d'utilisateurs et de serveurs d'Internet s'accompagne d'un épuisement des adresses IPv4, c'est-à-dire de la diminution progressive de la quantité d'adresses IPv4 publiques disponibles.
Multi-junction solar cellMulti-junction (MJ) solar cells are solar cells with multiple p–n junctions made of different semiconductor materials. Each material's p-n junction will produce electric current in response to different wavelengths of light. The use of multiple semiconducting materials allows the absorbance of a broader range of wavelengths, improving the cell's sunlight to electrical energy conversion efficiency. Traditional single-junction cells have a maximum theoretical efficiency of 33.16%.
Lithographie extrême ultravioletvignette|La technologie EUV. vignette|Outil de lithographie EUV. La lithographie extrême ultraviolet ou lithographie EUV est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de l'ordre de dix à quinze nanomètres (le rayonnement EUV avoisine donc la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (exemple des masques dits « en réflexion »).
Lithographie à faisceau d'électronsL'utilisation d'un faisceau d'électrons pour tracer des motifs sur une surface est connue sous le nom de lithographie par faisceau d'électrons. On parle également de lithographie électronique. Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre. Cette forme de lithographie a trouvé diverses formes d'application dans la recherche et l'industrie des semi-conducteurs et dans ce qu'il est convenu d'appeler les nanotechnologies.
Masque photographiqueA photomask is an opaque plate with transparent areas that allow light to shine through in a defined pattern. Photomasks are commonly used in photolithography for the production of integrated circuits (ICs or "chips") to produce a pattern on a thin wafer of material (usually silicon). Several masks are used in turn, each one reproducing a layer of the completed design, and together known as a mask set. For IC production in the 1960s and early 1970s, an opaque rubylith film laminated onto a transparent mylar sheet was used.
