Publication

HIGH-SPEED INP/GAINAS METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTORS GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

Jean-François Carlin
1994
Journal Articles

Résumé

We report the fabrication and characterization of lateral metal-semiconductor-metal (MSM) photodiodes on an InP substrate. The photoabsorbing layer is made of InGaAs covered by a thin InP Schottky barrier enhancement layer. Schottky contacts for the detectors were formed by the evaporation of Au and patterned using a lift-off technique. The MSM photodiodes exhibit a dark current lower than 200 nA at 15-V bias, an efficient photoresponse up to 1.6 mum, and a fast deconvoluted full width at half maximum response of about 25 ps at 12-V bias.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/27a30fae-7f64-4d24-a225-e6028874d81e

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Concepts associés (25)

Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.

Photodétecteur

Un photodétecteur (ou détecteur photosensible ou détecteur optique ou détecteur de lumière) est un dispositif (détecteur) qui transforme la lumière qu'il absorbe en une grandeur mesurable, généralement un courant ou une tension électrique. Le capteur à fibre optique repose sur ce principe. Photodétecteurs (simples) : photomultiplicateur (ou phototube ou tube photomultiplicateur) ; photoconducteur (ou détecteur photoconducteur) ; photodiode ; photodiode à avalanche.

Épitaxie

L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».

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