Publication

Pseudomorphic growth induced by chemical adatom potential

Klaus Kern, Harald Brune
1997
Journal Articles

Résumé

The transformation from pseudomorphic to dislocated and back to pseudomorphic growth with increasing coverage is reported for molecular beam epitaxy of Ag on Pt(111). Below a critical size of 200 Angstrom two-dimensional Ag islands grow coherently strained, while larger islands relieve strain through the introduction of misfit dislocations. Upon completion of the first monolayer, the dislocations disappear and the Ag film again adopts a pseudomorphic structure. With the help of effective-medium theory calculations, it is shown that this effect is related to the elevated chemical potential of Ag adatoms on top of the first Ag monolayer. (C) 1997 Elsevier Science B.V.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/212057f5-4bc9-497b-a1dc-484e4c25f16c

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Dislocation

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Épitaxie par jet moléculaire

L'épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à envoyer un ou plusieurs jets moléculaires vers un substrat préalablement choisi pour réaliser une croissance épitaxiale. Elle permet de faire croître des échantillons nanostructurés de plusieurs à une vitesse d'environ une monocouche atomique par seconde.

Phosphure d'indium

Le phosphure d'indium est un composé inorganique de formule InP. C'est un semi-conducteur binaire de type III-V, constitué d'indium et de phosphore utilisé en micro-électronique. Le phosphure d'indium possède comme la plupart des semi-conducteurs III-V (GaAs, InAs, etc.) une structure de type « blende », c'est-à-dire deux mailles cubiques faces centrées (cfc) de chacun des deux composants imbriquées et décalées d'un vecteur (1/4;1/4;1/4), ou d'un autre point de vue, une maille cfc de l'un des constituants dont quatre des huit sites tétraédriques sont occupés par l'autre constituant.

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