Publication

Long-wavelength edge-emitting lasers on gallium arsenide using InAs quantum dots embedded in InGaAs

Romuald Houdré, Ursula Oesterle, Marc Ilegems, Andrea Fiore
2000
Conference Papers

Résumé

We demonstrate edge-emitting lasers based on self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrates. The InAs QDs are embedded in an InGaAs quantum well (QW) to red-shift the lasing transition. The lasers emit at lambda=1.2 mum with threshold current densities approximate to100 A/cm(2). Maximum modal gains on the order of 5 cm(-1) are deduced for a single QD sheet.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/1c144ceb-03f8-4ae9-94de-66feb26dad5e

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