Publication

Design-dependent gauge factors of highly doped n-type 4H-SiC piezoresistors

Nico de Rooij
2012
Journal Articles

Résumé

This paper presents the experimentally obtained gauge factor (GF) of 4H-SiC piezoresistors, fabricated out of the n-type epitaxial layer and characterized on millimeter-size SiC cantilever beams at room temperature. It was found that the GF is dependent on the piezoresistor's length and width. Piezoresistors narrower than approximately 30 mu m showed a width-dependent GF. The highest GF of 20.8 was obtained with a single element piezoresistor in transverse orientation. In longitudinal orientation, the highest GF was -10, which was obtained with a clustered piezoresistor with plural identical elements. Essential factors to consider for the design of optimum 4H-SiC piezoresistors for a Wheatstone bridge configuration are presented.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/10ee3d7f-4a2f-4b71-ba00-cc0322eb6c2f

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Grande unification

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