Publication

Nano-gap high quality factor thin film SOI MEM resonators

Mihai Adrian Ionescu, Marco Mazza, Nicoleta-Diana Ciressan
2008
Conference Papers

Résumé

A 1.25 m thin SOI micro-electro-mechanical (MEM) resonator with a quality factor of 100’000 at 24.6 MHz is demonstrated. A nanogap fabrication process allows the fabrication of < 200 nm gaps, allowing for low polarization voltages. A motional resistance of 55 k is measured at 18 V DC polarization and values still below 100 k can be measured at 14 V.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/022e53fd-b99d-4118-9cbd-06aba996ce32

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Nano-gap high quality factor thin film SOI MEM resonators

Chattez avec Graph Search

Ultrahigh-quality-factor micro- and nanomechanical resonators using dissipation dilution

Room-temperature quantum optomechanics using an ultralow noise cavity

Extensions of Peer Prediction Incentive Mechanisms