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Wei Liu

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Publications associées (9)

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Ultrafast carrier dynamics in III-nitride nanostructures and LED quantum efficiency

Wei Liu, Wei Liu

Since the seminal report about the first Candela- class-brightness InGaN blue light- emitting diodes (LEDs) by Shuji Nakamura et al. in 1994, III-nitride semiconductors have been one of the most important platforms for optoelectronic devices. The achieve ...

EPFL2019

Impact of alloy disorder on Auger recombination in single InGaN/GaN core-shell microrods

Benoît Marie Joseph Deveaud, Gwénolé Jean Jacopin, Georg Rossbach, Wei Liu

We study the influence of local inhomogeneities on carrier recombination dynamics in single InGaN/GaN core-shell microrods (MRs) by means of time-resolved microphotoluminescence (TRPL) at 10 K. At low carrier density (similar to 10(11) cm(-2)), the carrier ...

2019

Impact of defects on Auger recombination in c-plane InGaN/GaN single quantum well in the efficiency droop regime

Matthieu Jean-Marie Louis Aucouturier, Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Yixing Chen, Gwénolé Jean Jacopin, Camille Haller, Wei Liu, Thomas Fjord Kjaersgaard Weatherley

We study the impact of non-radiative defects on Auger recombination in c-plane InGaN/GaN single quantum wells (SQWs) in the efficiency droop regime using high injection time-resolved photoluminescence. The defect density in the SQW is controlled by tuning ...

AMER INST PHYSICS2020