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Bernt Ketterer

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Compensation mechanism in silicon-doped gallium arsenide nanowires

Anna Fontcuberta i Morral, Emanuele Uccelli, Bernt Ketterer

P-type gallium arsenide nanowires were grown with different silicon doping concentrations. The incorporation is monitored by Raman spectroscopy of the local vibrational modes. For Si-concentrations up to 1.4 x 10(18) cm(-3), silicon incorporates mainly in ...

American Institute of Physics2010

Determination of the band gap and the split-off band in wurtzite GaAs using Raman and photoluminescence excitation spectroscopy

Anna Fontcuberta i Morral, Martin Heiss, Bernt Ketterer

GaAs nanowires with 100% wurtzite structure are synthesized by the vapor-liquid-solid method in a molecular beam epitaxy system, using gold as a catalyst. We use resonant Raman spectroscopy and photoluminescence to determine the position of the crystal-fie ...

2011

Self-assembled quantum dots in a nanowire system for quantum photonics

Nicola Marzari, Anna Fontcuberta i Morral, Marco Cantoni, Martin Heiss, Eleonora Russo, Sonia Conesa Boj, Yannik Fontana, Bernt Ketterer

Quantum dots embedded within nanowires represent one of the most promising technologies for applications in quantum photonics. Whereas the top-down fabrication of such structures remains a technological challenge, their bottom-up fabrication through self-a ...

Nature Publishing Group2013