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Charge transition levels of carbon-, oxygen-, and hydrogen-related defects at the SiC/SiO2 interface through hybrid functionals

Alfredo Pasquarello, Peter Broqvist, Audrius Alkauskas, Fabien Devynck

We calculate charge transition levels of various defects at the SiC/SiO2 interface within a scheme based on hybrid density functionals, which accurately reproduce the involved band gaps and band offsets. The defect levels are first evaluated in bulk models ...

2011

Defect levels of carbon-related defects at the SiC/SiO2 interface from hybrid functionals

Alfredo Pasquarello, Peter Broqvist, Audrius Alkauskas, Fabien Devynck

We investigate carbon single-atom and pair defects at the SiC/SiO2 interface as candidate defects for the density of defect states in the SiC band gap. In order to accurately describe the electronic defect levels with respect to the SiC band edges, we use ...

2011

Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties

Alfredo Pasquarello, Fabien Devynck, Feliciano Giustino

Through the sequential use of classical molecular dynamics and first-principles relaxation methods, we generate an abrupt model interface for the 4H(0001)SiC-SiO2 interface showing regular structural parameters without any coordination defect. The valence ...

2007