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Couvre le comportement des semi-conducteurs, en se concentrant sur les niveaux d'énergie, les distributions de charges et la conductivité dans les structures N-P-N et les interfaces métal-semiconducteur.
Discute de la physique des semi-conducteurs, en se concentrant sur les états d'équilibre et les structures de bande d'énergie dans les semi-conducteurs homogènes et inhomogènes.
Couvre l'influence du dopage sur les concentrations de porteurs dans les semi-conducteurs extrinsèques et les changements qui en résultent dans le niveau d'énergie de Fermi.
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