Explore les calculs de résistance, de capacité et d'inductance, les transistors MOS, les modèles à retard, la dissipation de puissance et les variations PVT.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
Couvre la conception et l'application des amplificateurs JFET, en se concentrant sur la polarisation, les caractéristiques de gain et des exemples pratiques impliquant des photodiodes.
Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
Explore les effets de la non-linéarité dans les transistors MOS RF, couvrant l'entrée bicolore, l'intermodulation et le point d'interception du troisième ordre.