Modélisation des transistors RF MOS : effets de non-linéarité

Cette séance de cours couvre les concepts RF de base liés à la modélisation des dispositifs actifs et passifs chez RF. Il traite des effets de la non-linéarité dans les transistors MOS RF, en se concentrant sur des sujets tels que l'entrée bicolore, l'intermodulation et le point d'interception du troisième ordre. La séance de cours se penche également sur la comparaison entre les entrées monotones et bitones, fournissant des exemples et des simulations pour illustrer les concepts. En outre, il explore l'impact de la non-linéarité sur l'inversion faible et forte dans les transistors MOS, en mettant l'accent sur la fréquence de transit, la capacité de grille extrinsèque et l'échelle de fréquence de transit. La séance de cours se termine par une explication détaillée du coefficient d'inversion et de son importance dans la caractérisation du niveau d'inversion dans les transistors RF.