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Architecture de mémoire SRAM & Bit Cell

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Dans cours

EE-429: Fundamentals of VLSI design

The course introduces the fundamentals of digital integrated circuits and the technology aspects from a designers perspective. It focuses mostly on transistor level, but discusses also the extension to large digital semicustom designs. ...

Description

Cette séance de cours couvre les principes fondamentaux de la conception VLSI liés à SRAM, en mettant l'accent sur l'accès réseau, le conditionnement de ligne de bit, la structure de la cellule de bit SRAM, les opérations de lecture et d'écriture, les transistors d'accès et les contraintes de dimensionnement SRAM. Il traite également de l'analyse des opérations, de l'optimisation et des considérations de mise en page des cellules SRAM, ainsi que de l'impact de la SRAM sur la loi de Moore.

Enseignant·e·s (2)

Andreas Peter Burg

Andreas Burg was born in Munich, Germany, in 1975. He received his Dipl.-Ing. degree in 2000 from the Swiss Federal Institute of Technology (ETH) Zurich, Zurich, Switzerland. He then joined the Integrated Systems Laboratory of ETH Zurich, from where he graduated with the Dr. sc. techn. degree in 2006. In 1998, he worked at Siemens Semiconductors, San Jose, CA. During his doctoral studies, he was an intern with Bell Labs Wireless Research for a total of one year. From 2006 to 2007, he held positions as postdoctoral researcher at the Integrated Systems Laboratory and at the Communication Theory Group of the ETH Zurich. In 2007 he co-founded Celestrius, an ETH-spinoff in the field of MIMO wireless communication, where he was responsible for the ASIC development as Director for VLSI. In January 2009, he joined ETH Zurich as SNF Assistant Professor and as head of the Signal Processing Circuits and Systems group at the Integrated Systems Laboratory. In January 2011, he became a Tenure Track Assistant Professor at the Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL) where he is leading the Telecommunications Circuits Laboratory in the School of Engineering. In June 2018 he was promoted to the role of a Tenured Associate Professor. In 2000, Mr. Burg received the Willi Studer Award and the ETH Medal for his diploma and his diploma thesis, respectively. Mr. Burg was also awarded an ETH Medal for his Ph.D. dissertation in 2006. In 2008, he received a 4-years grant from the Swiss National Science Foundation (SNF) for an SNF Assistant Professorship. In his professional career, Mr. Burg was involved in the development of more than 25 ASICs. He is a member of the IEEE and of the European Association for Signal Processing (EURASIP). Research interests and expertise

Circuits and systems for telecommunications (wireless and wired)
Prototyping and silicon implementation of new communication technologies
Development of communication algorithms and optimization for hardware implementation
Low-power VLSI signal processing for communications and other applications
Digital integrated circuits
Circuits for image and video processing

Alexandre Sébastien Julien Willommet

Enseignement et PhD Cours Fundamentals of VLSI design EE-429 Le cours présente les principes fondamentaux des circuits intégrés numériques et les aspects technologiques du point de vue des concepteurs. Il se concentre principalement sur le niveau des transistors, mais discute également de l'extension aux grandes conceptions numériques semi-personnalisées. Lab in advanced VLSI design EE-490(b) Ces labs couvrent les techniques avancées de conception de circuit integrés. Méthode

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Concepts associés (32)

Transistor

vignette|Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important des circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (il permet, assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques), amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal Les transistors revêtent une importance particulière dans les circuits intégrés, ce qui rend possible la microélectronique.

HCMOS

HCMOS désigne une technologie de fabrication de circuits électroniques. Introduite au début des années 1980, elle constitue une amélioration de la technologie CMOS. Le remplacement de la grille métallique des transistors par une grille en silicium (Si-gate), la réduction de la longueur des canaux et des épaisseurs d'oxyde et la diminution des capacités parasites grâce à l'auto-alignement des grilles, ont permis d'augmenter la sensibilité et la rapidité des circuits et de diminuer leur consommation électrique, en contrepartie d'une limitation de la tension d'alimentation maximale.

Complementary metal oxide semi-conductor

vignette|Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable.

Transistor bipolaire

vignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. vignette|Transistor bipolaire monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.

Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.

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Explique la mémoire électronique dans l'architecture informatique à l'aide de circuits basés sur des transistors pour le stockage et la récupération des données.

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