Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Explore les défis de dissipation thermique dans les transistors à effet de champ et le potentiel du MOS2 et du graphène pour les appareils électroniques.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Couvre la tension de claquage dans les transistors NPN, en se concentrant sur l'effet d'avalanche dans les configurations de base commune et d'émetteur commun.
