Discute des principes des diodes et des transistors, en se concentrant sur leurs caractéristiques électriques et leurs applications dans l'électronique et l'énergie solaire.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Fournit une vue d'ensemble des transistors à jonction bipolaire, en se concentrant sur leur petit modèle de signal et leurs applications dans les circuits électroniques.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
Couvre la tension de claquage dans les transistors NPN, en se concentrant sur l'effet d'avalanche dans les configurations de base commune et d'émetteur commun.
Couvre les principes fondamentaux de la logique statique, y compris l'immunité au bruit, les marges de bruit et diverses conceptions de portes logiques.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Explore l'évolution des systèmes numériques, des transistors aux circuits intégrés, en mettant l'accent sur l'impact de la loi de Moore et du travail pratique du FPGA.
Couvre les origines et les calculs du bruit thermique et de tir dans les diodes et les transistors, en mettant l'accent sur leurs implications dans les composants électroniques.
S'intéresse aux fondamentaux de la SRAM, à la structure des cellules de bits, aux opérations de lecture/écriture, aux contraintes de dimensionnement et à l'impact sur la loi de Moore.