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Séance de cours

Photodiodes : fonctionnement et limites

Dans cours

EE-440: Photonic systems and technology

The physics of optical communication components and their applications to communication systems will be covered. The course is intended to present the operation principles of contemporary optical communication systems employing optical fibers and modern op ...

Description

Cette séance de cours couvre le fonctionnement des photodiodes p-n, expliquant comment le courant inverse augmente lors de l'absorption des photons due à la génération de paires électron-trou. Il se penche sur l'importance de la région d'épuisement dans le transport des porteurs de charge et discute de la relation i-V des photodiodes dans différentes conditions de polarisation. En outre, il explore les limites des photodiodes p-n, en se concentrant sur l'impact de la largeur de la région d'épuisement sur les performances de l'appareil.

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Enseignant·e

Camille Sophie Brès

Prof. Camille-Sophie Brès est Professeur Associé dans l'Institut de Genie Electrique a l'EPFL. Ses recherches incluent les communications par fibre optique, et les effets paramétriques et nonlineaires dans fibre silice/non-silice pour le traitement ultra-rapide de signaux, résaux tout optique, sensing et source de lumière. Elle est auteur de plus de trente articles dans des revues arbitrées et a participé a de nombreuses conférences internationales. Elle a reçu le Gordon Wu Fellowship pour ses études de thèse, le NSF CIANs Diversity Postdoctoral Fellowship en 2009, le Early Career Woman in Photonic Award en 2016. 2019 - present: Professeur associé à l'Institut de Génie Electrique, EPFL2011 - 2018: Professeur assistant à l'Institut de Génie Electrique, EPFL 2010 - 2011: Assistant Project Scientist, University of California San Diego (UCSD) 2007 - 2010: Postdoc, University of California San Diego (UCSD) 2002 - 2007: Ph.D en Génie Electrique, Princeton University 1998 - 2002: B.Eng avec Honeur en Génie Electrique, McGill University

Source officielle

Proximité ontologique

Physique

Physique de la matière condensée: Physique du solide

Concepts associés (19)

Jonction p-n

vignette|230px|Jonction p-n dans du silicium. Sur ce schéma, les régions p et n sont reliées à des contacts métalliques, ce qui suffit à transformer la jonction en diode. vignette|230px|Le symbole d'une diode associé à la représentation d'une jonction p-n. En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n.

Zone de déplétion

En électronique, la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge d'espace (ZCE), ou zone désertée, correspond à la région qui apparaît dans une jonction P-N, entre la zone dopée N et la zone dopée P. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées électriquement (contrairement au reste du semi-conducteur N et du semi-conducteur P qui sont globalement neutres).

Diode PIN

Une diode PIN (de l’anglais Positive Intrinsic Negative diode) est une diode constituée d'une zone non-dopée, dite intrinsèque I, intercalée entre deux zones dopées P et N. Une diode PIN polarisée dans le sens direct (passante) offre une impédance dynamique (vis-à-vis des signaux variables) extrêmement faible. Polarisée dans le sens inverse (bloquée) elle offre une très grande impédance et surtout une très faible capacité (elle se comporte comme un condensateur de très faible valeur, quelques picofarads, voire bien moins encore suivant les modèles).

Depletion and enhancement modes

In field-effect transistors (FETs), depletion mode and enhancement mode are two major transistor types, corresponding to whether the transistor is in an on state or an off state at zero gate–source voltage. Enhancement-mode MOSFETs (metal–oxide–semiconductor FETs) are the common switching elements in most integrated circuits. These devices are off at zero gate–source voltage. NMOS can be turned on by pulling the gate voltage higher than the source voltage, PMOS can be turned on by pulling the gate voltage lower than the source voltage.

Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.

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Comportement des semi-conducteurs

Couvre le comportement des semi-conducteurs, y compris les propriétés intrinsèques et extrinsèques, le dopage, les porteurs de charge, le flexion de la bande et la formation de jonction p-n.

Photodétecteurs: Photodiodes et photoconducteurs

Explore le fonctionnement et les caractéristiques des photodiodes et des photoconducteurs, en mettant l'accent sur les jonctions internes, la collecte des porteurs et les structures des appareils.

Physique des jonctions p-n

Couvre la physique des jonctions p-n, y compris les propriétés à l'équilibre thermique, la formation de la région de charge d'espace et la lithographie optique.

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Diode PIN

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