Network analysis (electrical circuits)In electrical engineering and electronics, a network is a collection of interconnected components. Network analysis is the process of finding the voltages across, and the currents through, all network components. There are many techniques for calculating these values; however, for the most part, the techniques assume linear components. Except where stated, the methods described in this article are applicable only to linear network analysis.
Dependent sourceIn the theory of electrical networks, a dependent source is a voltage source or a current source whose value depends on a voltage or current elsewhere in the network. Dependent sources are useful, for example, in modeling the behavior of amplifiers. A bipolar junction transistor can be modeled as a dependent current source whose magnitude depends on the magnitude of the current fed into its controlling base terminal. An operational amplifier can be described as a voltage source dependent on the differential input voltage between its input terminals.
Transistor modelTransistors are simple devices with complicated behavior. In order to ensure the reliable operation of circuits employing transistors, it is necessary to scientifically model the physical phenomena observed in their operation using transistor models. There exists a variety of different models that range in complexity and in purpose. Transistor models divide into two major groups: models for device design and models for circuit design. The modern transistor has an internal structure that exploits complex physical mechanisms.
Échantillon biaiséEn statistiques, le mot biais a un sens précis qui n'est pas tout à fait le sens habituel du mot. Un échantillon biaisé est un ensemble d'individus d'une population, censé la représenter, mais dont la sélection des individus a introduit un biais qui ne permet alors plus de conclure directement pour l'ensemble de la population. Un échantillon biaisé n'est donc pas un échantillon de personnes biaisées (bien que ça puisse être le cas) mais avant tout un échantillon sélectionné de façon biaisée.
Transistor bipolairevignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. vignette|Transistor bipolaire monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.
Diode modellingIn electronics, diode modelling refers to the mathematical models used to approximate the actual behaviour of real diodes to enable calculations and circuit analysis. A diode's I-V curve is nonlinear. A very accurate, but complicated, physical model composes the I-V curve from three exponentials with a slightly different steepness (i.e. ideality factor), which correspond to different recombination mechanisms in the device; at very large and very tiny currents the curve can be continued by linear segments (i.
Mobilité des porteurs de chargevignette|Image illustratifs La mobilité des porteurs de charge est une notion utilisée en physique pour caractériser les milieux conducteurs du courant électrique. Elle est notée et relie la vitesse moyenne d'un porteur de charge électrique du milieu (électron, trou, ion) au champ électrique qu'il subit via la relation . La mobilité est étroitement liée à la conductivité électrique du matériau et au nombre d'impuretés présentes dans ce matériau. Quand un porteur est dominant la conductivité électrique est proportionnelle à la mobilité de ce porteur.
Electron mobilityIn solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. When an electric field E is applied across a piece of material, the electrons respond by moving with an average velocity called the drift velocity, .
Complementary metal oxide semi-conductorvignette|Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable.
Signal logiqueUn signal logique est un signal physique qui ne peut prendre que 2 valeurs, un niveau haut (en anglais "high" = "H"), et un niveau bas (en anglais "low" = "L"). Dans les ordinateurs et d'autres systèmes numériques, une forme d'onde qui alterne entre deux niveaux de tension représentant les deux états d'une valeur booléenne (0 et 1) est désigné comme un signal logique. Pour tout ce qui concerne la logique combinatoire ces deux niveaux suffisent.
GateA gate or gateway is a point of entry to or from a space enclosed by walls. The word derived from old Norse "gat" meaning road or path; But other terms include yett and port. The concept originally referred to the gap or hole in the wall or fence, rather than a barrier which closed it. Gates may prevent or control the entry or exit of individuals, or they may be merely decorative. The moving part or parts of a gateway may be considered "doors", as they are fixed at one side whilst opening and closing like one.
