Séance de cours

Photodiodes : fonctionnement et caractéristiques

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Dans cours

MICRO-330: Capteurs

Principes physiques et électronique utilisés dans les capteurs. Applications des capteurs. ...

Description

Cette séance de cours couvre le fonctionnement et les caractéristiques des photodiodes, y compris les modes photovoltaïques et photoconducteurs, les méthodes de mesure, la capacité de jonction, la sensibilité et l'analyse du bruit. Il explique l'impact de la tension inverse, de la région d'épuisement et des composants du circuit sur les performances de la photodiode. La séance de cours se penche également sur le coefficient d'absorption, l'efficacité quantique et l'effet d'avalanche dans les photodiodes.

Enseignant·e·s (3)

Philippe Renaud

Philippe Renaud is Professor at the Microsystem Laboratory (LMIS4) at EPFL. He is also the scientific director of the EPFL Center of MicroNanoTechnology (CMI). His main research area is related to micronano technologies in biomedical applications (BioMEMS) with emphasis on cell-chips, nanofluidics and bioelectronics. Ph. Renaud is invloved in many scientifics papers in his research area. He received his diploma in physics from the University of Neuchâtel (1983) and his Ph.D. degree from the University of Lausanne (1988). He was postdoctoral fellow at University of California, Berkeley (1988-89) and then at the IBM Zürich Research Laboratory in Switzerland (1990-91). In 1992, he joined the Sensors and Actuators group of the Swiss Center for Electronics and Microtechnology (CSEM) at Neuchâtel, Switzerland. He was appointed assistant professor at EPFL in 1994 and full professor in 1997. In summer 1996, he was visiting professor at the Tohoku University, Japan. Ph. Renaud is active in several scientific committee (scientific journals, international conferences, scientific advisory boards of companies, PhD thesis committee). He is also co-founder of the Nanotech-Montreux conference. Ph. Renaud is committed to valorization of basic research through his involvement in several high-tech start-up companies.

Giovanni Boero

Expertise Nuclear magnetic resonance (NMR), Electron spin resonance (ESR), Ferromagnetic resonance (FMR), RF/MW discrete and integrated electronics, Magnetic sensors, Noise phenomena. Born in Genova (Italy). Married with two children. Speaks italian, english, french.Workplaces:1996-present: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, Switzerland.1994-1996: Organization Europeenne pour la Recherche Nucleaire (CERN),Geneva,Switzerland.1993-1995: Fermi National Accelerator Laboratory (FNAL), Bat

Herbert Shea

Enseignement et PhD Doctorant·es actuel·les Myoung Ju Kim, Xintong Tong, Huapeng Zhang, Rohit Kadungamparambil John, Yichi Luo, Lucas Aurélien Jourdan, Ayana Mizutani, Donghyun Kim A dirigé les thèses EPFL de Michael Bodendorfer, Renato Krpoun, Samuel Rosset, Muhamed Niklaus, Kaustav Ghose, Samin Akbari, Vinu Lalgudi Venkatraman, Luc Maffli, Simon Dandavino, Tobias Bandi, Subha Chakraborty, Pietro Romano, Alexandre Poulin, Marianna Fighera, Nadine Besse, Alexis Pierre Henri Marette, Reto Wiesendanger, Fr

Source officielle

Concepts associés (32)

Photodiode

Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de capter un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique. Comme beaucoup de diodes en électronique elle est constituée d'une jonction PN. Cette configuration de base fut améliorée par l'introduction d'une zone intrinsèque (I) pour constituer la photodiode PIN. En absence de polarisation (appelé mode photovoltaïque) elle crée une tension. En polarisation inverse par une alimentation externe (mode photoampérique), elle crée un courant.

Depletion and enhancement modes

In field-effect transistors (FETs), depletion mode and enhancement mode are two major transistor types, corresponding to whether the transistor is in an on state or an off state at zero gate–source voltage. Enhancement-mode MOSFETs (metal–oxide–semiconductor FETs) are the common switching elements in most integrated circuits. These devices are off at zero gate–source voltage. NMOS can be turned on by pulling the gate voltage higher than the source voltage, PMOS can be turned on by pulling the gate voltage lower than the source voltage.

Attenuation coefficient

The linear attenuation coefficient, attenuation coefficient, or narrow-beam attenuation coefficient characterizes how easily a volume of material can be penetrated by a beam of light, sound, particles, or other energy or matter. A coefficient value that is large represents a beam becoming 'attenuated' as it passes through a given medium, while a small value represents that the medium had little effect on loss. The SI unit of attenuation coefficient is the reciprocal metre (m−1).

Transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.

Threshold voltage

The threshold voltage, commonly abbreviated as Vth or VGS(th), of a field-effect transistor (FET) is the minimum gate-to-source voltage (VGS) that is needed to create a conducting path between the source and drain terminals. It is an important scaling factor to maintain power efficiency. When referring to a junction field-effect transistor (JFET), the threshold voltage is often called pinch-off voltage instead.

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Détecteurs idéaux : caractéristiques et applications

Couvre les caractéristiques et les applications des détecteurs idéaux en détection optique, en se concentrant sur les détecteurs photoniques et thermiques.

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Couvre les principes des photodiodes induites, en se concentrant sur leur structure, leur mécanisme de travail et leurs applications dans la détection optique.

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Transistor à effet de champ

Threshold voltage

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