Transistorvignette|Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important des circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (il permet, assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques), amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal Les transistors revêtent une importance particulière dans les circuits intégrés, ce qui rend possible la microélectronique.
Transistor à effet de champUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Transistor bipolairevignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. vignette|Transistor bipolaire monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.
History of the transistorA transistor is a semiconductor device with at least three terminals for connection to an electric circuit. In the common case, the third terminal controls the flow of current between the other two terminals. This can be used for amplification, as in the case of a radio receiver, or for rapid switching, as in the case of digital circuits. The transistor replaced the vacuum-tube triode, also called a (thermionic) valve, which was much larger in size and used significantly more power to operate.
Transistor à effet de champ à grille métal-oxydethumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.
Transistor countThe transistor count is the number of transistors in an electronic device (typically on a single substrate or "chip"). It is the most common measure of integrated circuit complexity (although the majority of transistors in modern microprocessors are contained in the cache memories, which consist mostly of the same memory cell circuits replicated many times). The rate at which MOS transistor counts have increased generally follows Moore's law, which observed that the transistor count doubles approximately every two years.
Point-contact transistorThe point-contact transistor was the first type of transistor to be successfully demonstrated. It was developed by research scientists John Bardeen and Walter Brattain at Bell Laboratories in December 1947. They worked in a group led by physicist William Shockley. The group had been working together on experiments and theories of electric field effects in solid state materials, with the aim of replacing vacuum tubes with a smaller device that consumed less power.
MESFETA MESFET (metal–semiconductor field-effect transistor) is a field-effect transistor semiconductor device similar to a JFET with a Schottky (metal–semiconductor) junction instead of a p–n junction for a gate. MESFETs are constructed in compound semiconductor technologies lacking high quality surface passivation, such as gallium arsenide, indium phosphide, or silicon carbide, and are faster but more expensive than silicon-based JFETs or MOSFETs.
Multigate deviceA multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET).
Courant marinvignette|upright=1.6|Principaux courants marins (en rouge les courants chauds, en bleu les courants froids) qui convoient la chaleur à l'échelle de chaque hémisphère terrestre, nord et sud séparément. Un courant marin est un déplacement horizontal d'eau de mer dû aux effets combinés du vent, de la force de Coriolis et de différences de température, densité et salinité ; ainsi qu'aux contours des continents, aux reliefs de profondeur et à l'interaction entre courants.
Trouble bipolaireUn trouble bipolaire (anciennement maladie ou psychose maniaco-dépressive) est en psychiatrie un « trouble de l'humeur » caractérisé par une succession d’épisodes maniaques (ou hypomaniaques) et dépressifs. Cette appellation de l'Association américaine de psychiatrie, qui figure officiellement depuis 1980 dans la troisième édition du Manuel diagnostique et statistique des troubles mentaux, a été adoptée en 1992 par la Classification internationale des maladies de l'OMS qui utilise la catégorie pour en distinguer différents types.
Jonction p-nvignette|230px|Jonction p-n dans du silicium. Sur ce schéma, les régions p et n sont reliées à des contacts métalliques, ce qui suffit à transformer la jonction en diode. vignette|230px|Le symbole d'une diode associé à la représentation d'une jonction p-n. En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n.
Saturation velocitySaturation velocity is the maximum velocity a charge carrier in a semiconductor, generally an electron, attains in the presence of very high electric fields. When this happens, the semiconductor is said to be in a state of velocity saturation. Charge carriers normally move at an average drift speed proportional to the electric field strength they experience temporally. The proportionality constant is known as mobility of the carrier, which is a material property.
Transistor bipolaire à grille isoléeLe transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais en) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance. Ce composant, qui combine les avantages des technologies précédentes a permis de nombreux progrès dans les applications de l’électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilité que sur l’aspect économique.
Outline of bipolar disorderThe following outline is provided as an overview of and topical guide to bipolar disorder: Bipolar disorder – mental disorder with cyclical periods of depression and periods of elevated mood. The elevated mood is significant and is known as mania, a severe elevation that can be accompanied by psychosis in some cases, or hypomania, a milder form of mania. During mania, an individual behaves or feels abnormally energetic, elated, or irritable. Individuals often make poorly thought out decisions with little regard to the consequences.
Trouble bipolaire non spécifiéLe trouble bipolaire non spécifié (TPNS) catégorise les cas de troubles bipolaires (TB) dont les diagnostics spécifiques ne correspondent pas. Les sous-types du bipolaire font partie du spectre bipolaire. Le trouble bipolaire NS désigne des changements drastiques dans l'humeur ; il est donc considéré comme un trouble de l'humeur. Ce trouble survient habituellement au début de l'âge adulte mais peut également exposer des symptômes durant l'âge adulte.
Boundary currentBoundary currents are ocean currents with dynamics determined by the presence of a coastline, and fall into two distinct categories: western boundary currents and eastern boundary currents. Eastern boundary currents are relatively shallow, broad and slow-flowing. They are found on the eastern side of oceanic basins (adjacent to the western coasts of continents). Subtropical eastern boundary currents flow equatorward, transporting cold water from higher latitudes to lower latitudes; examples include the Benguela Current, the Canary Current, the Humboldt (Peru) Current, and the California Current.
Bipolar II disorderBipolar II disorder (BP-II) is a mood disorder on the bipolar spectrum, characterized by at least one episode of hypomania and at least one episode of major depression. Diagnosis for BP-II requires that the individual must never have experienced a full manic episode. Otherwise, one manic episode meets the criteria for bipolar I disorder (BP-I). Hypomania is a sustained state of elevated or irritable mood that is less severe than mania yet may still significantly affect the quality of life and result in permanent consequences including reckless spending, damaged relationships and poor judgment.
Courant électriqueUn courant électrique est un mouvement d'ensemble de porteurs de charges électriques, généralement des électrons, au sein d'un matériau conducteur. Ces déplacements sont imposés par l'action de la force électromagnétique, dont l'interaction avec la matière est le fondement de l'électricité. On doit au physicien français André-Marie Ampère la distinction entre courant et tension électriques.
Kuroshiovignette|Les courants entourant le Japon : 1. Kuroshio 2. extension du Kuroshio 3. contre courant du Kuroshio 4. courant de Tsushima 5. courant Tsugaru 6. courant de Sōya 7. Oya shivo 8. courant de Liman. Le courant de Kuroshio, en japonais , anciennement orthographié Kuroshiwo ou Kuro shivo, est le second plus grand courant marin au monde, après le Gulf Stream. Il débute dans l'ouest de l'océan Pacifique au large de la côte orientale de Taïwan et se dirige vers les eaux au nord-est du Japon où il fusionne avec la dérive orientale du courant du Pacifique nord.
