Explore le comportement des électrons dans un gaz d'électron et l'arrangement périodique des atomes dans les solides cristallins, ainsi que la densité des états dans diverses dimensions et bandes d'énergie.
Fournit une compréhension unifiée des mécanismes de transport de charge dans les semi-conducteurs organiques en utilisant la relation généralisée d'Einstein.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Explore l'histoire, les défis et la mécanique quantique derrière l'électronique organique, en mettant l'accent sur la délocalisation des électrons intramoléculaires et la préparation des matériaux semi-conducteurs.
Explore la bande interdite dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur l'interaction entre les atomes dans un cristal et la dérivation de l'équation séculaire.
Couvre les petites configurations de signal, la modélisation des transistors, les résistances, les calculs de gain et la sélection des assemblages en électronique.
Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Explore l'électronique organique, en mettant l'accent sur des dispositifs tels que les transistors et les cellules photovoltaïques, et la préparation de matériaux semi-conducteurs.
Explore l'histoire, les applications et les technologies des transistors à film mince et des écrans plats, y compris l'écran LCD, l'OLED et le papier électronique de couleur évolué.
Se penche sur l'utilisation du germanium dans le calcul quantique, en mettant l'accent sur les systèmes quantiques à base de trous et les progrès des matériaux.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.