Mediaspace scheduled maintenance: Aug 25, 2026 07:00 - 12:00 AM. During this time, videos will be temporarily unavailable. Check status updates.

Concept

Arséniure d'aluminium-gallium

L'arséniure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xAs) est un semi-conducteur utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) émettant dans le rouge ou l'infrarouge. Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre l'arséniure de gallium (GaAs) et l'arséniure d'aluminium (AlAs).

Source officielle

https://fr.wikipedia.org/wiki/Arséniure_d'aluminium-gallium

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Cours associés (2)

PHYS-434: Physics of photonic semiconductor devices

Series of lectures covering the physics of quantum heterostructures, dielectric microcavities and photonic crystal cavities as well as the properties of the main light emitting devices that are light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs). ...

EE-627: Advanced lll-Nitride Semiconductor Devices

This course covers advanced topics on compound semiconductors (lll-Nitrides) and their heterostructures, from both physics and engineering perspectives, to explain the principles of some of the widespread electronic and optoelectronic devices used in our l ...

Publications associées (26)

In situ construction of graphdiyne based heterojunctions by a deprotection-free approach for photocatalytic hydrogen generation

Cong Wang, Jian Li

Graphdiyne (GDY) with a direct bandgap, high charge carrier mobility, and ordered pore structure, is considered an excellent matrix for the construction of heterojunction photocatalysts. However, the traditional fabrication methods for GDY-based heterojunc ...

Royal Society of Chemistry2023

The nanoscale impact of individual nonradiative point defects on InGaN/GaN quantum wells

Thomas Fjord Kjaersgaard Weatherley

Today's world depends on optoelectronic devices: light-emitting diodes illuminate our houses and backlight the displays on our gadgets, while laser diodes underpin fibre-optic communication. Such optoelectronic devices rely on crystalline semiconductor het ...

EPFL2023

Optoelectronics based on the spin-valley physics of 2D materials

Juan Francisco Gonzalez Marin

Two-dimensional (2D) materials are atomically thin crystals with exceptional mechanical, electrical and optical properties. Their unique characteristics originating from quantum confinement in the vertical dimension have attracted a strong interest for sci ...

EPFL2022

Afficher plus

Unités associées (1)

CIB - Gestion

Source officielle

https://fr.wikipedia.org/wiki/Arséniure_d'aluminium-gallium

À propos de ce résultat

Cours associés (2)

PHYS-434: Physics of photonic semiconductor devices

EE-627: Advanced lll-Nitride Semiconductor Devices

Séances de cours associées (13)

Propriétés des semi-conducteurs : Structure de bande et statistiques des porteurs

Explore la structure de la bande de semi-conducteurs, les statistiques sur les porteurs et l'impact des impuretés sur l'activation et la conductivité des porteurs.

Transitions optiques dans les semi-conducteurs

Explore les transitions optiques dans les semi-conducteurs, y compris la règle de sélection K, l'importance du bandgap, les effets de champ électromagnétique, la règle d'or Fermi et les coefficients d'absorption.

Propriétés électriques Introduction Connectez-vous à Mediaspace pour regarder cette vidéo

Couvre l'introduction aux propriétés électriques des matériaux et leurs variations.

Afficher plus

Publications associées (26)

In situ construction of graphdiyne based heterojunctions by a deprotection-free approach for photocatalytic hydrogen generation

Cong Wang, Jian Li

Royal Society of Chemistry2023

The nanoscale impact of individual nonradiative point defects on InGaN/GaN quantum wells

Thomas Fjord Kjaersgaard Weatherley

EPFL2023

Optoelectronics based on the spin-valley physics of 2D materials

Juan Francisco Gonzalez Marin

EPFL2022

Afficher plus

Unités associées (1)

CIB - Gestion

Concepts associés (6)

Arséniure de gallium

L'arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs -. C'est un matériau semi-conducteur à gap direct présentant une structure cristalline cubique de type sphalérite (blende). Il est utilisé notamment pour réaliser des composants micro-ondes, des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences, des composants opto-électroniques, des diodes électroluminescentes dans l'infrarouge, des diodes laser, des cellules photovoltaïques et des fenêtres optiques.

Diode laser

Une diode laser est un composant opto-électronique à base de matériaux semi-conducteurs. Elle émet de la lumière monochromatique cohérente (une puissance optique) destinée, entre autres, à transporter un signal contenant des informations sur de longues distances (dans le cas d'un système de télécommunications) ou à apporter de l'énergie lumineuse pour le pompage de certains lasers (lasers à fibre, laser DPSS) et amplificateurs optiques (OFA, Optical Fiber Amplifier).

Arséniure d'aluminium

L’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic. C'est un matériau semi-conducteur avec presque la même constante de réseau que GaAs et AlGaAs et une bande interdite plus large que GaAs. Il possède les propriétés suivantes : Coefficient de dilatation thermique : 5 μm/(°C*m) Température Debye : 417 K Microdureté : (charge de ) Nombre d'atomes dans : (4.42-0.17x)·1022 Module d'élasticité isostatique : 7.55+0.

Afficher plus