Publication

Effect of C-face 4H-SiC(0001) deposition on thermopower of single and multilayer graphene in AA, AB and ABC stacking

Giovanni Pizzi
2014
Journal Articles

Résumé

The Seebeck coefficient in multilayer graphene is investigated within the density-functional theory, using the semiclassical Boltzmann equations and interpolating the bands in a maximally-localized Wannier functions basis set. We compare various graphene stackings (AA, AB and ABC) both free-standing and deposited on the 4H-SiC(0001) C-terminated substrate. We find that the presence of the SiC substrate can significantly affect the thermopower properties of graphene layers, depending on the stacking, providing a promising way to tailor efficient graphene-based devices.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/f3fb0636-d49a-4d71-bfa6-8d4e4486dd60

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