Complementary metal oxide semi-conductorvignette|Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable.
Chronologie des microprocesseursvignette|Comparaison des tailles des nœuds du processus de fabrication des semi-conducteurs avec certains objets microscopiques et les longueurs d'onde de la lumière visible. Dans les années 1970 les microprocesseurs traitent des mots de 8 bits et sont surtout fabriqués en technologie N MOS. Dans les années 1980 les microprocesseurs traitent des mots de 16 et même 32 bits et sont surtout fabriqués en technologie CMOS. Dans les années 1990 les microprocesseurs traitent des mots de 32 bits.
Capacitive sensingIn electrical engineering, capacitive sensing (sometimes capacitance sensing) is a technology, based on capacitive coupling, that can detect and measure anything that is conductive or has a dielectric constant different from air. Many types of sensors use capacitive sensing, including sensors to detect and measure proximity, pressure, position and displacement, force, humidity, fluid level, and acceleration. Human interface devices based on capacitive sensing, such as touchpads, can replace the computer mouse.
Parasitic capacitanceParasitic capacitance is an unavoidable and usually unwanted capacitance that exists between the parts of an electronic component or circuit simply because of their proximity to each other. When two electrical conductors at different voltages are close together, the electric field between them causes electric charge to be stored on them; this effect is capacitance. All practical circuit elements such as inductors, diodes, and transistors have internal capacitance, which can cause their behavior to depart from that of ideal circuit elements.
Active-pixel sensorAn active-pixel sensor (APS) is an , which was invented by Peter J.W. Noble in 1968, where each pixel sensor unit cell has a photodetector (typically a pinned photodiode) and one or more active transistors. In a metal–oxide–semiconductor (MOS) active-pixel sensor, MOS field-effect transistors (MOSFETs) are used as amplifiers. There are different types of APS, including the early NMOS APS and the now much more common complementary MOS (CMOS) APS, also known as the CMOS sensor.
Capteur photographiqueUn capteur photographique est un composant électronique photosensible servant à convertir un rayonnement électromagnétique (UV, visible ou IR) en un signal électrique analogique. Ce signal est ensuite amplifié, puis numérisé par un convertisseur analogique-numérique et enfin traité pour obtenir une . Le capteur est donc le composant de base des appareils photo et des caméras numériques, l'équivalent du film (ou pellicule) en photographie argentique.
Capacité électriqueEn électricité et en électronique, la capacité représente la quantité de charges électriques portées par un accumulateur, un condensateur ou un conducteur pour une tension donnée. Elle est définie comme étant la somme des charges électriques de l'élément divisée par le potentiel de l'élément : où : capacité (en farads (F)) ; charge (en coulombs (C)) ; différence de potentiel aux bornes de l'élément (en volts (V)).
Parasite (électricité)In electrical networks, a parasitic element is a circuit element (resistance, inductance or capacitance) that is possessed by an electrical component but which it is not desirable for it to have for its intended purpose. For instance, a resistor is designed to possess resistance, but will also possess unwanted parasitic capacitance. Parasitic elements are unavoidable. All conductors possess resistance and inductance and the principles of duality ensure that where there is inductance, there will also be capacitance.
Fabrication des dispositifs à semi-conducteursthumb|upright=1.5|Évolution de la finesse de gravure des processeurs entre 1970 et 2017 La fabrication des dispositifs à semi-conducteur englobe les différentes opérations permettant l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs. Entrent dans cette catégorie de composants à semi-conducteur, les composants discrets qui n'ont qu'une seule fonction comme les diodes et les transistors, et les circuits intégrés plus complexes, intégrant plusieurs composants, jusqu'à des milliards, dans le même boîtier.
Électronique impriméeLe terme d'électronique imprimée désigne un ensemble de technologies qui ont émergées à partir des années 2010 et dans lesquelles des circuits électroniques entiers (composants et interconnection) sont réalisés par impression sur un substrat (polymère, céramique ou même papier). C'est une technologie très différente de celle du circuit imprimé, dans laquelle seule l'interconnexion est réalisée sur le substrat, sur lequel les composants, fabriqués séparément, sont implantés.
Pentium IIthumb|Logo Le Pentium II est un microprocesseur de la famille x86 produit par Intel. Sorti en mai 1997, il est de la sixième génération (architecture P6), comme le Pentium Pro. Il adopte les instructions vectorielles MMX. Il était à l'origine destiné à l'ensemble de la gamme PC et stations de travail. Les premiers Pentiums II, de nom de code Klamath fonctionnaient à 233, 266, 300 Mhz avec un FSB à 66 MHz, et étaient gravés en 0,35 μm. Les suivants, dénommés Deschutes, gravés en 0,25 μm, se déclinaient de 266 à 450 MHz, sur un FSB à 66 MHz, puis à 100 MHz.
Écran tactilethumb|L'écran tactile d'une borne d'accueil. Un écran tactile est un périphérique informatique qui combine les fonctionnalités d'affichage d'un écran (moniteur) et celles d'un dispositif de pointage comme la souris, le pavé tactile ou le stylet optique. Cela permet de réduire le nombre de périphériques sur certains systèmes et de réaliser des logiciels ergonomiques très bien adaptés à certaines fonctions.
Courant de déplacementEn électromagnétisme, le courant de déplacement est un terme introduit par Maxwell pour étendre aux régimes variables dans le temps le théorème d'Ampère valide en magnétostatique. Vers 1865, Maxwell a réalisé une synthèse harmonieuse des diverses lois expérimentales découvertes par ses prédécesseurs (lois de l'électrostatique, du magnétisme, de l'induction...). Mais cette synthèse n'a été possible que parce que Maxwell a su dépasser les travaux de ses devanciers, en introduisant dans une équation un « chaînon manquant », appelé le courant de déplacement, dont la présence assure la cohérence de l'édifice unifié.
Électronique organiquevignette| Circuit logique CMOS organique. L'épaisseur totale est inférieure à 3 μm. Barre d'échelle: 25 mm L'électronique organique est un domaine de la science des matériaux comprenant le design, la synthèse, la caractérisation et l'utilisation de petites molécules ou polymères organiques qui présentent des propriétés électroniques souhaitables comme la conductivité. Contrairement aux conducteurs et semi - conducteurs inorganiques conventionnels, les matériaux électroniques organiques sont constitués de petites molécules ou de polymères organiques.
FaradLe farad (symbole : F), tiré du nom du physicien Michael Faraday, est l'unité dérivée de capacité électrique du Système international (SI). Un farad est la capacité d'un conducteur électrique isolé pour laquelle une addition de provoque une augmentation de son potentiel de (aspect électrostatique). Cette charge électrique composée de représente en fait une charge électrique de . (Le coulomb est aussi le nombre d'électrons traversant chaque seconde la section d'un conducteur parcouru par un courant de (aspect électrodynamique)).
Circuit intégré à signaux mixtesA mixed-signal integrated circuit is any integrated circuit that has both analog circuits and digital circuits on a single semiconductor die. Their usage has grown dramatically with the increased use of cell phones, telecommunications, portable electronics, and automobiles with electronics and digital sensors. Integrated circuits (ICs) are generally classified as digital (e.g. a microprocessor) or analog (e.g. an operational amplifier). Mixed-signal ICs contain both digital and analog circuitry on the same chip, and sometimes embedded software.
Pressure measurementPressure measurement is the measurement of an applied force by a fluid (liquid or gas) on a surface. Pressure is typically measured in units of force per unit of surface area. Many techniques have been developed for the measurement of pressure and vacuum. Instruments used to measure and display pressure mechanically are called pressure gauges, vacuum gauges or compound gauges (vacuum & pressure). The widely used Bourdon gauge is a mechanical device, which both measures and indicates and is probably the best known type of gauge.
Circuits statiques et dynamiquesIn integrated circuit design, dynamic logic (or sometimes clocked logic) is a design methodology in combinational logic circuits, particularly those implemented in metal–oxide–semiconductor (MOS) technology. It is distinguished from the so-called static logic by exploiting temporary storage of information in stray and gate capacitances. It was popular in the 1970s and has seen a recent resurgence in the design of high-speed digital electronics, particularly central processing units (CPUs).
Pilote informatiqueUn pilote informatique (driver), souvent abrégé en pilote, est un programme informatique destiné à permettre à un autre programme (souvent un système d'exploitation) d'interagir avec un périphérique. En général, chaque périphérique a son propre pilote. Dit de manière simplifiée, un pilote d'imprimante est un logiciel qui traduit les ordres de l'utilisateur (le système) dans le langage de l'imprimante. Sans pilote, l'imprimante ou la carte graphique par exemple ne pourraient pas être utilisées.
Multigate deviceA multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET).
