Publication

Group iii nitride light-emitting devices having a polarization-doped region

Jean-François Carlin
2006
Patents

Résumé

A light-emitting device comprising a substrate-supported Group III nitride semiconductor region having a p-n junction region for injecting carriers into an optically active region, wherein the p-n junction region comprises an aluminum indium gallium nitride region which is compositionally graded for polarization doping.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/df7ac88a-07c2-4d6e-8528-8c3fe2435763

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