Publication

Backward diodes using heavily Mg-doped GaN growth by ammonia molecular-beam epitaxy

Nicolas Grandjean, Marco Malinverni
2016
Journal Articles

Résumé

We grew heavily Mg-doped GaN using ammonia molecular-beam epitaxy. The use of low growth temperature (740 degrees C) allows decreasing the incorporation of donor-like defects (

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/d32982c5-4af8-471e-a8ea-03ce61d09522

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Backward diodes using heavily Mg-doped GaN growth by ammonia molecular-beam epitaxy

Chattez avec Graph Search

Polarization-enhanced GaN Schottky barrier diodes: Ultra-thin InGaN for high breakdown voltage and low Ron

Towards Scalable Electronics: Synthetic 2D Materials for Large-Area 2D Circuit Integration

Strain relaxation and multidentate anchoring in n-type perovskite transistors and logic circuits