Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.
AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.
This paper proposes, for the first time, the investigation of the SG-FET small slope switch based on a hybrid numerical simulation approach combining ANSYS (TM) Multiphysics and ISE-DESSIS (TM) in a self-consistent system. The proposed hybrid numerical simulations uniquely enables the investigation of the physics of complex Micro-Electro-Mechanical/solid-state devices, such as SG-FET. Abrupt switching and effect of gate charges are demonstrated. The numerical data serves to calibrate an analytical EKV-based SG-FET model, which is the used to design and originally simulate a sub-micron (90nm) scaled SG-FET complementary inverter. It is demonstrated that, due to abrupt switch in the subthreshold region and electro-mechanical hysteresis, the SG-FET inverter provides significant power saving (1-2 decades reduction of inverter peak current and practically, no leakage power) compared with traditional CMOS inverter.