Publication

Analog and RF Modeling of FDSOI UTBB MOSFET Using Leti-UTSOI Model

Jean-Michel Sallese
2016
Conference Papers

Résumé

Ultra-Thin Body and Box (UTBB) Fully-depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) MOSFETs exhibit very high transit frequency granting advantageous RF and low-power circuits design. This requires accurate models describing transistor behavior in all operating regimes including low levels of MOSFET channel inversion. In this paper, Leti-UTSOI based RF model will be compared against electrical measurements from 28nm FDSOI devices operating down to low bias conditions. The outcome demonstrates the accuracy and efficiency of Leti-UTSOI for low-power and RF applications design.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/c946553b-7644-4f7d-ae16-09ab5a05a2d6

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