Publication

High resolution EELS using monochromator and high performance spectrometer: Comparison of V2O5 ELNES with NEXAFS and band structure calculations

2003
Journal Articles

Résumé

Using single crystal V2O5 as a sample, we tested the performance of the new aberration corrected GATAN spectrometer on a monochromatised 200 kV FEG FEI (S)TEM. The obtained V L and O K ELNES were compared with that obtained in a common GATAN GIF and that in the new spectrometer, without monochromatised beam. The performance of the new instrumentation is impressive: recorded with an energy-resolution of 0.22 eV, the V L3 edge reveals all the features due to the bulk electronic structure, that are also revealed in near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) with a much higher energy-resolution (0.08 eV). All features of the ELNES and NEXAFS are in line with a theoretical spectrum derived from band-structure calculations.

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https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/c354b1a7-22dc-43dc-9714-d30e9dd26625

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In solid-state physics, the tight-binding model (or TB model) is an approach to the calculation of electronic band structure using an approximate set of wave functions based upon superposition of wave functions for isolated atoms located at each atomic site. The method is closely related to the LCAO method (linear combination of atomic orbitals method) used in chemistry. Tight-binding models are applied to a wide variety of solids.

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