Cellule CIGSLe sigle CIGS (pour les éléments chimiques cuivre, indium, gallium et sélénium) désigne à la fois : une technique d'élaboration des cellules photovoltaïques en couches minces et de haute performance. le matériau semiconducteur fait d'un alliage permettant de réaliser ces cellules. Dans le CIGS, la concentration d'indium et de gallium peut varier entre du séléniure de cuivre et d'indium (CIS) pur, et du séléniure de cuivre et de gallium (CGS) pur. C’est un semi-conducteur à structure de chalcopyrite.
Séléniure de cuivre, d'indium et de galliumLe séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, souvent abrégé CIGS, de l'anglais copper indium gallium selenide, est un composé chimique de formule générique . C'est un semi-conducteur à gap direct constitué de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium. Il s'agit d'une solution solide de CIS (copper indium selenide, ) et de CGS (copper gallium selenide, ). Sa structure cristalline est semblable à celle de la chalcopyrite, dans le groupe d'espace I2d (), avec une largeur de bande interdite variant de manière continue de pour le CIS à pour le CGS.
Silicium polycristallinLe silicium polycristallin, aussi couramment appelé polysilicium ou poly-Si est une forme particulière du silicium, qui se différencie du silicium monocristallin et du silicium amorphe. Contrairement au premier (composé d'un seul cristal) et au second (n'ayant aucune ou une très faible cohérence cristallographique), le silicium polycristallin est constitué de multiples petits cristaux de tailles et de formes variées, qui lui confèrent des propriétés différentes des deux autres formes.
Tarification de l'électricitéLa tarification de l'électricité peut comprendre un abonnement à un fournisseur d'énergie électrique, un prix dépendant de la consommation (facturée au kilowatt-heure), des frais d'accès à l'électricité (lors d'une première installation ou d'un changement de fournisseur) ainsi que des taxes locales ou nationales. Les tarifs peuvent différer selon les types d'énergies vendues (renouvelables par exemple), le niveau de tension de raccordement, les plages horaires et les périodes de l'année (selon les contrats).
Multi-junction solar cellMulti-junction (MJ) solar cells are solar cells with multiple p–n junctions made of different semiconductor materials. Each material's p-n junction will produce electric current in response to different wavelengths of light. The use of multiple semiconducting materials allows the absorbance of a broader range of wavelengths, improving the cell's sunlight to electrical energy conversion efficiency. Traditional single-junction cells have a maximum theoretical efficiency of 33.16%.
Coût actualisé de l'énergieLe coût actualisé de l'énergie, en anglais Levelized Cost of Energy (LCOE), correspond au prix complet d'une énergie (l’électricité dans la plupart des cas) sur la durée de vie de l’équipement qui la produit. Les différents modes de production d'électricité ont des coûts très différents. Le calcul de ces coûts peut être fait en différents points : en sortie immédiate du système de production (centrale électrique, éolienne, ensemble de panneaux photovoltaïque...), au point de connexion au réseau électrique, etc.
Third-generation photovoltaic cellThird-generation photovoltaic cells are solar cells that are potentially able to overcome the Shockley–Queisser limit of 31–41% power efficiency for single bandgap solar cells. This includes a range of alternatives to cells made of semiconducting p-n junctions ("first generation") and thin film cells ("second generation"). Common third-generation systems include multi-layer ("tandem") cells made of amorphous silicon or gallium arsenide, while more theoretical developments include frequency conversion, (i.e.
Taux de défaillanceLe taux de défaillance, ou taux de panne, est une expression relative à la fiabilité des équipements et de chacun de leurs composants. Son symbole est la lettre grecque λ (lambda). Le taux de défaillance d'un équipement à l'instant t est la limite, si elle existe, du quotient de la probabilité conditionnelle que l'instant T de la (première) défaillance de cet équipement soit compris dans l'intervalle de temps donné [t, t + Δt] par la durée Δt de cet intervalle, lorsque Δt tend vers zéro, en supposant que l'entité soit disponible au début de l'intervalle de temps.
Effet photovoltaïqueL'effet photovoltaïque est un des effets photoélectriques. Il permet la production d'électricité à partir du rayonnement solaire et est mis en œuvre en particulier dans les cellules photovoltaïques. Ce phénomène physique a été découvert par le physicien français Edmond Becquerel. Lorsqu'un photon d'énergie suffisante frappe la zone de transition d’une cellule photovoltaïque composée de matériau semi-conducteur, typiquement de deux couches de silicium dopées différemment (N et P), il arrache un électron à l'atome de silicium en y laissant un trou.
Mode de défaillanceLe mode de défaillance est la forme observable du dysfonctionnement d’un produit ou d’une opération du système étudié. Il sert de base de travail dans l'élaboration d'une analyse de type AMDEC Un mode de défaillance doit répondre aux caractéristiques suivantes : Il est relatif à la fonction étudiée. Il décrit la manière dont le système ne remplit plus sa fonction. Il s'exprime en termes techniques précis (court-circuit...) Il existe 5 modes génériques de défaillance : perte de la fonction fonctionnement in
Ingénierie de fiabilitéL'ingénierie de fiabilité est un domaine de l'ingénierie, qui traite de l'étude, de l'évaluation et du Product Lifecycle Management de la fiabilité : l'habilité d'un système ou d'un composant à remplir ses fonctions exigées dans des conditions déterminées pour une période de temps déterminé. L'ingénierie de fiabilité est une sous-discipline au sein de l'ingénierie des systèmes. La fiabilité est souvent mesurée en probabilité de défaillance, fréquence de défaillance, ou en termes de disponibilité, une probabilité dérivée de la fiabilité et de la maintenabilité.
