Publication

Electron density of states at Ge/oxide interfaces due to GeOx formation

Alfredo Pasquarello
2011
Conference Papers

Résumé

An atomistic model of substoichiometric germanium oxide is generated through ab initio molecular dynamics. The resulting structure shows a predominance of threefold coordinated Ge and O atoms. We also generate substoichiometric models through bond-switching Monte-Carlo simulations, which preserve the fourfold Ge and the twofold O coordinations. These differing structures are energetically competitive. Alignment of their electron densities of states to that of GeO2 reveals that the band-gap reduction is similar for both structures, mainly occurring through a shift of the valence band edge.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/b52291ac-b3b2-4b81-870a-abd8f3cc54cf

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Electron density of states at Ge/oxide interfaces due to GeOx formation

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