Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.
AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.
We present a detailed analysis of inter- and intraband transitions in GaN/AIN self-organized quantum dots grown on sapphire, silicon (111) and 6H-SiC substrates. Quantum dot samples have been characterized by means of transmission electron microscopy, photoluminescence and photo-induced absorption spectroscopy. Interlevel transitions in the conduction band are observed in the 0.52-0.98 eV energy range, thus covering the telecommunication band. The s-p(z) absorption is peaked at 0.8 eV (0.52 eV) for samples with dot height of 1.5 nm (6 nm). Calculations show that in bigger dots the transition energy is governed by the value of the internal field.
Majed Chergui, Mounir Driss Mensi