Publication

Indirect-Energy-Gap Dependence on Al Concentration in Alxga1-Xas Alloys

Jean-Louis Staehli
1992
Journal Articles

Résumé

The energy of the indirect X exciton in AlxGa1-xAs epitaxial layers (with 0.38 < x < 0.81) has been determined by photoluminescence measurements at a sample temperature of 12 K; from these data, the dependence on the Al concentration x of the energy of the GAMMA-X gap has been obtained: E(g)X(x) = 1.988 + 0.207x + 0.055x2 eV. This relation is characterized by a very small bowing. From our data we deduce also the coordinates of the GAMMA-X crossover point: x(c) = 0.385 +/- 0.016 and E(c) = 2076 +/- 4 meV at T = 0 K and x(c) = 0.396 +/- 0.016 and E(c) = 1997 +/- 4 meV at T = 300 K.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/b122cba6-6f09-4878-ab74-b22439dececa

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Jean-Louis Staehli
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Énergie (physique)

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Arséniure de gallium

L'arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs -. C'est un matériau semi-conducteur à gap direct présentant une structure cristalline cubique de type sphalérite (blende). Il est utilisé notamment pour réaliser des composants micro-ondes, des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences, des composants opto-électroniques, des diodes électroluminescentes dans l'infrarouge, des diodes laser, des cellules photovoltaïques et des fenêtres optiques.

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