Publication

Synchrotron light in semiconductor research: Three decades of revolution

Giorgio Margaritondo
2006
Journal Articles

Résumé

Since the late 1960s, synchrotron-based experimental techniques have been playing a key role in semiconductor research. Major milestones include the observation of intrinsic and extrinsic surface and interface states, the study of interface formation processes, band structure mapping and, more recently, the study of exotic correlation effects in low-dimensional systems. We briefly review these developments with special emphasis on the contributions of the University of Wisconsin Synchrotron Radiation Center (SRC) and on the corresponding environment.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/b0ab91df-bff5-4db7-aebb-bbfe94882995

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Synchrotron light in semiconductor research: Three decades of revolution

Chattez avec Graph Search

Controlling On-Surface Photoactivity: The Impact of π-Conjugation in Anhydride-Functionalized Molecules on a Semiconductor Surface

Collimation simulations for the FCC-ee

Theoretical explanation of passivation behavior in OFP-Cu and OF-Cu