Publication

High-reflectance GaInP/GaAs distributed Bragg reflector

Alok Rudra, Marc Ilegems, Jean-Daniel Ganière
1993
Journal Articles

Résumé

A high-reflectance GaInP/GaAs distributed Bragg reflector (DBR) was grown by chemical beam epitaxy (CBE). The mirror consists of 40 pairs of alternating layers and was designed for a centre wavelength of 980 nm, resulting in a total thickness of 5.8 mum. Highly stable growth conditions led to a maximum reflectance of 0.99 and to a variation in the centre wavelength of only 5 nm over the 2'' (50.8 mm) wafer. Transmission electron microscopy and X-ray diffraction measurements confirmed the vertical uniformity and the crystallographic quality of the sample.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/b02d77fc-14a5-456c-b6cd-3f20a255e8be

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