Publication

Prospects for energy-efficient edge computing with integrated HfO2-based ferroelectric devices

Mihai Adrian Ionescu, Igor Stolichnov
2018
Conference Papers

Résumé

Edge computing requires highly energy efficient microprocessor units with embedded non-volatile memories to process data at IoT sensor nodes. Ferroelectric non-volatile memory devices are fast, low power and high endurance, and could greatly enhance energy-efficiency and allow flexibility for finer grain logic and memory. This paper will describe the basics of ferroelectric devices for both hysteretic (non-volatile memory) and negative capacitance (steep slope switch) devices, and then project how these can be used in low-power logic cell architectures and fine-grain logic-in-memory (LiM) circuits.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/affbc9ae-ba06-4722-83e6-bb1a8788ee47

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