Parasite (électricité)In electrical networks, a parasitic element is a circuit element (resistance, inductance or capacitance) that is possessed by an electrical component but which it is not desirable for it to have for its intended purpose. For instance, a resistor is designed to possess resistance, but will also possess unwanted parasitic capacitance. Parasitic elements are unavoidable. All conductors possess resistance and inductance and the principles of duality ensure that where there is inductance, there will also be capacitance.
Fusion catalysée par muonsLa fusion catalysée par muons est un procédé qui permet des réactions de fusion nucléaire sans aucune technique de confinement, grâce à un rapprochement des noyaux des atomes consécutif au remplacement de leurs électrons de liaison par des muons. Ce procédé, qui autorise la fusion dans les conditions ambiantes de température et de pression, a été originellement qualifié de fusion froide, terminologie que l'on préfère désormais réserver à d'autres procédés plus controversés.
Très basse fréquenceLa très basse fréquence, en anglais Very low frequency (VLF), désigne la bande de radiofréquences qui s'étend de 3 kHz à (longueur d'onde de 100 à ). Les ondes VLF sont aussi appelées ondes myriamétriques (le myria- est un préfixe obsolète valant ). Les ondes VLF pénètrent dans l’eau jusqu'à une profondeur de 10 à 50 mètres, selon la fréquence et la salinité. Elles sont utilisées pour les télécommunications avec les sous-marins proches de la surface, et permettent de transmettre un débit supérieur aux ELF ou SLF, utilisées à grande profondeur.
Three-dimensional integrated circuitA three-dimensional integrated circuit (3D IC) is a MOS (metal-oxide semiconductor) integrated circuit (IC) manufactured by stacking as many as 16 or more ICs and interconnecting them vertically using, for instance, through-silicon vias (TSVs) or Cu-Cu connections, so that they behave as a single device to achieve performance improvements at reduced power and smaller footprint than conventional two dimensional processes. The 3D IC is one of several 3D integration schemes that exploit the z-direction to achieve electrical performance benefits in microelectronics and nanoelectronics.
Fabrication des dispositifs à semi-conducteursthumb|upright=1.5|Évolution de la finesse de gravure des processeurs entre 1970 et 2017 La fabrication des dispositifs à semi-conducteur englobe les différentes opérations permettant l'élaboration de composants électroniques basés sur des matériaux semi-conducteurs. Entrent dans cette catégorie de composants à semi-conducteur, les composants discrets qui n'ont qu'une seule fonction comme les diodes et les transistors, et les circuits intégrés plus complexes, intégrant plusieurs composants, jusqu'à des milliards, dans le même boîtier.
Microfabricationalt=Micro-sculpture - Microlight3D|vignette|La « plus petite sculpture du monde », micro-autoportrait de l'artiste plasticien Michel Paysant imprimé en 3D avec une machine utilisant la technique de polymérisation à deux photons. La microfabrication est l'ensemble des techniques de fabrication permettant de produire des dispositifs avec des structures de l'ordre du micromètre et en dessous.
Series and parallel circuitsTwo-terminal components and electrical networks can be connected in series or parallel. The resulting electrical network will have two terminals, and itself can participate in a series or parallel topology. Whether a two-terminal "object" is an electrical component (e.g. a resistor) or an electrical network (e.g. resistors in series) is a matter of perspective. This article will use "component" to refer to a two-terminal "object" that participate in the series/parallel networks.
Saturable reactorA saturable reactor in electrical engineering is a special form of inductor where the magnetic core can be deliberately saturated by a direct electric current in a control winding. Once saturated, the inductance of the saturable reactor drops dramatically. This decreases inductive reactance and allows increased flow of the alternating current (AC). Saturable reactors provide a very simple means to remotely and proportionally control the AC through a load such as an incandescent lamp; the AC current is roughly proportional to the direct current (DC) through the control winding.
Radio-fréquenceLe terme radio-fréquence (souvent abrégé en RF) désigne une fréquence d'onde électromagnétique située entre et (entre et ), ce qui inclut les fréquences utilisées par différents moyens de radiocommunication, notamment la téléphonie mobile, le Wi-Fi ou la radiodiffusion, ainsi que des signaux destinés à d'autres usages comme les radars ou les fours à micro-ondes. Les ondes utilisant de telles fréquences sont les ondes radio.
Fusion par confinement magnétiqueLa fusion par confinement magnétique (FCM) est une méthode de confinement utilisée pour porter une quantité de combustible aux conditions de température et de pression désirées pour la fusion nucléaire. De puissants champs électromagnétiques sont employés pour atteindre ces conditions. Le combustible doit au préalable être converti en plasma, celui-ci se laisse ensuite influencer par les champs magnétiques. Il s'agit de la méthode utilisée dans les tokamaks toriques et sphériques, les stellarators et les machines à piège à miroirs magnétiques.
Super basse fréquenceOn appelle super basse fréquence (SLF), Super low frequency en anglais, la bande de radiofréquences qui s'étend de 30 à 300 Hz (longueur d'onde de à km). Ces fréquences incluent les rayonnements des réseaux électriques à 50 et 60 Hz, ainsi que leurs harmoniques, et ont été utilisées en télécommunications sous-marines. Deux émetteurs de communications stratégiques existaient dans cette bande : « Sanguine » aux États-Unis à 76 hertz « ZEVS » en CEI Russie à 82 hertz.
