Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.
AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.
We discuss the characteristics of In0.17Al0.83N/GaN high-electron mobility transistors with barrier thicknesses between 33 and 3 nm, which are grown on sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition. The maximum drain current (at V-G = +2.0 V) decreased with decreasing barrier thickness due to the gate forward drive limitation and residual surface-depletion effect. Full pinchoff and low leakage are observed. Even with 3-nm ultrathin barrier, the heterostructure and contacts are thermally highly stable (up to 1000 degrees C).