Publication

Metal-insulator transition at low densities in a two-dimensional low-bandgap semiconductor

2026

Résumé

and contact resistances as low as 1.31 kΩ·μm at 1.5 K. These characteristics enable a gate-tunable metal-insulator transition at carrier densities down to 2.75 × 10¹⁰ cm⁻². Transport in this regime is dominated by electron-electron interactions, as supported by finite-temperature scaling. Below 50 K, however, an additional disorder-related energy scale emerges, consistent with percolation. These results demonstrate that disorder remains relevant even in high-mobility devices, challenging a purely interaction-driven transition in two-dimensional systems.

Source officielle

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

2026

Résumé

Source officielle

Concepts associés (32)

Semimétal

redresse=1.75|vignette| Diagramme représentant la distribution des électrons dans les bandes de différents types de matériaux à l'équilibre. De gauche à droite : métal ; semimétal ; semiconducteur (dopé p, intrinsèque, dopé n) ; isolant. L'énergie est représentée par l'axe vertical, tandis que l'épaisseur horizontale des bandes représente la densité d'états.La densité électronique par niveau d'énergie suit la statistique de Fermi-Dirac et est représentée par un dégradé de noir.

MODFET

Le MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou transistor à effet de champ à dopage modulé est un type de transistor à effet de champ (FET). Il est connu aussi sous le nom de HEMT (High Electron Mobility Transistor), ou transistor à électron à haute mobilité. Comme les autres FET, les MODFET sont utilisés dans les circuits intégrés comme interrupteur numérique. vignette|Structure de bande d'un transistor HEMT n-AlGaAs/GaAs montrant la présence d'une zone de gaz d'électrons 2D.

Isolant de Mott

Les isolants de Mott sont des matériaux présentant une phase conductrice, avec une structure de bande électronique (voir théorie des bandes) délocalisée sur tout le réseau cristallin, et pouvant devenir isolant du fait d'une forte interaction répulsive entre électrons, entrainant leur localisation sur les noyaux atomiques. Dans un solide, lorsque les interactions répulsives entre les électrons d'un métal deviennent trop fortes, il peut se produire une "localisation" des électrons qui restent "accrochés" aux atomes constituant le réseau cristallin.

Afficher plus

Publications associées (25)

Afficher plus

Metal-insulator transition at low densities in a two-dimensional low-bandgap semiconductor

Chattez avec Graph Search

Evidence of the non-radiative character of dislocations in V-pit-free InGaN/GaN quantum wells

Model-based Estimation of Tokamak Plasma Profiles and Physics Parameters: Integration with Improved Equilibrium Reconstruction and Experimental Data

Dynamic control of electron correlations in photodoped charge-transfer insulators