Publication

Identification and thermal healing of focused ion beam-induced defects in GaN using off-axis electron holography

Nicolas Grandjean, Raphaël Butté
2024
Journal Articles

Résumé

Thermal healing of focused ion beam-implanted defects in GaN is investigated by off-axis electron holography in TEM. The data reveal that healing starts at temperatures as low as about 250 degrees C. The healing processes result in an irreversible transition from defect-induced Fermi level pinning near the VB toward a midgap pinning induced by the crystalline-amorphous transition interface. Based on the measured pinning levels and the defect charge states, we identify the dominant defect type to be substitutional carbon on nitrogen sites.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/919a4ad1-840e-4004-81bc-7266bf78517b

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