Publication

Epitaxial (001) Ge on Crystalline Oxide Grown on (001) Si

Jin Won Seo
2008
Conference Papers

Résumé

Fully epitaxial germanium-on-insulator structures have been grown for the first time on (001) Si substrates by using a perovskite oxide template. Detailed transmission electron microscopy analysis revealed that a two-temperature growth procedure is required in order to avoid three-dimensional island growth and to obtain Continuous and flat Ge films. The interface between the oxide and Ge is fully crystalline and atomically sharp. A high density of stacking faults and twin structures has been found preferentially originating from the surface toughness of the oxide.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/8b367819-0e8e-4889-b21c-db266a3a48d5

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chat

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Jin Won Seo
2008
Conference Papers

Résumé

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/8b367819-0e8e-4889-b21c-db266a3a48d5

À propos de ce résultat

Concepts associés (32)

Crystalline silicon

Crystalline silicon or (c-Si) Is the crystalline forms of silicon, either polycrystalline silicon (poly-Si, consisting of small crystals), or monocrystalline silicon (mono-Si, a continuous crystal). Crystalline silicon is the dominant semiconducting material used in photovoltaic technology for the production of solar cells. These cells are assembled into solar panels as part of a photovoltaic system to generate solar power from sunlight. In electronics, crystalline silicon is typically the monocrystalline form of silicon, and is used for producing microchips.

Épitaxie

L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».

Dioxyde de silicium

Le dioxyde de silicium, ou silice, est un composé chimique de formule . Il s'agit d'un solide incolore présent en abondance dans le milieu naturel et chez divers êtres vivants. Il existe à l'état libre sous différentes formes cristallines ou amorphes, et combiné chimiquement avec d'autres oxydes dans les silicates, qui sont les principaux constituants de l'écorce terrestre et du manteau terrestre. Libre ou combiné, il représente 60,6 % de la masse de la croûte continentale.

Afficher plus

Publications associées (32)

Afficher plus

Epitaxial (001) Ge on Crystalline Oxide Grown on (001) Si

Chattez avec Graph Search

Font Side Solutions for c-Si Solar Cells with High-Temperature Passivating Contacts

Microstructural and electrical characterization of high temperature passivating contacts for silicon solar cells

Bodily implant microelectrode and bodily implant microelectrode fabrication method