Publication

High-quality 1.3 lm-wavelength GaInAsN/GaAs quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy on vicinal substrates

Elyahou Kapon, Alok Rudra, Benjamin Dwir
2011
Journal Articles

Résumé

We investigated the composition and optical properties of GaInAsN/GaAs single quantum wells (QWs) grown on vicinal-(001) GaAs substrates using metallorganic vapor phase epitaxy with modulated nitrogen-precursor flux. A significant enhancement in N incorporation and photoluminescence efficiency is achieved with such optimized QW structures. Possible mechanisms of the observed increase in N uptake and reduction in defect density, related to the substrate vicinality, are discussed.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/7ebe5cfe-8cf1-46b0-8c84-03765e5a2d86

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Elyahou Kapon, Alok Rudra, Benjamin Dwir
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